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安森美半导体发布超高电源抑制比LDO稳压器

文章来源:同花顺 作者:【*】 点击:次 时间:2018/6/13 9:55:15
6月5日,安森美半导体发布了一系列新的超低噪声低压降稳压器(LDO),具有业界最佳的电源抑制比(PSRR),能在噪声敏感的模拟设计中实现更好的性能。新的NCP16x系列,连同其汽车变体器件同时符合AEC-Q100车规的NCV81x,在各类应用中提供更好的性能,如汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)图像传感器模块、便携式设备和包括802.11ad WiGig、蓝牙和WLAN的无线应用。 NCP16x系列包括四个输入电压范围从1.9到5.5伏特(V)的器件以支持各种不同的终端应用。输出电流250毫安(mA)、450mA和700mA,采用相同封装,使设计易于扩展。98分贝(dB)的超高PSRR阻止不想要的电源噪声到达敏感的模拟电路,而6.5微伏(uV)均方根的超低噪声无需额外的输出电容。 新的LDO稳压器具有80毫伏(mV)的低压降,支持和帮助延长电池供电的终端产品的使用寿命。空载静态电流仅为12微安培(uA),进一步增强此特性。这些器件可提供1.2V至5.3V的固定输出电压,在整个应用范围内的精确度为+/-2%。仅1uF的输入输出电容实现稳定的工作,能降低系统成本和体积。
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